1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
|
|
- Fabian Chmielewski
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice między tymi sygnałami. 4. Stosując jako kryterium klasyfikacji przebieg wielkości w funkcji czasu, dokonaj podziału sygnałów zdeterminowanych ( przedstaw graficznie przykłady tych sygnałów). 5. Wyjaśnij, dlaczego sygnały sinusoidalne znajdują powszechne zastosowanie we współczesnej energoelektryce i elektronice. 6. Zdefiniuj pojęcie wartości średniej sygnału zmiennego w czasie (i(t); u(t)). Określ w jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością średnią prądu ( I śr ) bądź napięcia ( U śr ). 7. Zdefiniuj pojęcie wartości skutecznej sygnału zmiennego w czasie (i(t); u(t)). Określ w jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością skuteczną prądu ( I ) bądź napięcia ( U ). 8. Scharakteryzuj sygnał w postaci impulsu prostokątnego. Opisz jego podstawowe parametry. 9. Kiedy stosuje się względną miarę logarytmiczną (tzw. skalę decybelową [ db ]). Jeżeli liniowy stosunek napięć U 2 /U 1 = 1/Ö 2 to odpowiada to w skali decybelowej. [db]. 10. Co to jest: bit, bajt, słowo? Przedstaw strukturę słowa 16 bitowego. 11. Przedstaw sposób przeliczania z systemu dziesiętnego na system binarny np. 125 (10) ; 134 (10) Przedstaw sposób przeliczania z systemu binarnego na system dziesiętny np (2), (2) Scharakteryzuj elektroniczne elementy bierne i aktywne. Podaj przykłady elementów zaliczanych do poszczególnych grup. 14. Na przykładzie rezystora przedstaw, w jaki sposób można scharakteryzować elementy elektroniczne, 15. Narysuj charakterystykę I = f(u) dla dwóch wartości rezystancji R 1 i R 2 gdy R 2 > R 1, wymień podstawowe parametry rezystorów. 16. R 1 = 20 W, R 2 = 30 W. Ile wynosić będzie wartość rezystancji rezystora zastępczego R gdy rezystory te połączymy szeregowo a ile gdy równolegle. 17. Dla dzielnika napięcia jak na rysunku oblicz ile będzie wynosić U wy gdy: U we = 100V, R 1 =20 W, R 2 = 30 W.
2 I R 1 U we R 2 U wy 18. Dla rezystora o R = 100Ω moc maksymalna (P max ) jaka może się na nim wydzielić wynosi 2W. Jaki prąd maksymalny może przepłynąć przez rezystor? Przedstaw schemat układu pomiarowego do pomiaru metodą techniczną charakterystyki I = f(u) takiego rezystora. 19. Wymień podstawowe rodzaje polaryzacji dielektryka. Jaka stała charakteryzuje zdolność dielektryka do jego polaryzowania? 20. Jaką podstawową właściwością charakteryzuje się kondensator? Opisz wzorem pojemność kondensatora płaskiego. 21. C 1 = 20 pf, C 2 = 30 pf. Ile wynosić będzie pojemność zastępcza C, gdy kondensatory te połączymy szeregowo a ile, gdy połączymy je równolegle. Wymień podstawowe parametry kondensatorów. 22. Zdefiniuj pojęcia: półprzewodnik (wymień znane ci materiały, rodzaje), defekty strukturalne ( opisz ich naturę). 23. Dokonaj klasyfikacji materiałów z użyciem modelu pasmowego. Podaj przykłady współczesnych materiałów półprzewodnikowych. 24. Przedstaw i omów wykres W =f(x) dla T=0; T>0 opisujący prawdopodobieństwo obsadzenia stanów w materiale półprzewodnikowym. 25. Na modelu pasmowym przedstaw procesy: - generacji prostej, - generacji pośredniej, - rekombinacji prostej, - rekombinacji pośredniej. Jakie są skutki występowania tych procesów w materiałach półprzewodnikowych 26. Przedstaw półprzewodnik samoistny wykorzystując model pasmowy. Jakimi właściwościami charakteryzuje się taki materiał półprzewodnikowy w temperaturze
3 T =0K oraz T = 300K. 27. Przedstaw: - mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu n, - model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego. Jaki proces wystąpi w takim materiale gdy temperatura otoczenia zmieni się z T =0K do temperatury T = 300K? 28. Przedstaw: - mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu p, - model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego. Jaki proces wystąpi w takim materiale gdy temperatura otoczenia zmieni się z T =0K do temperatury T = 300K? 29. Sklasyfikuj i omów ruch nośników prądu w półprzewodnikach. 30. Co opisuje ruchliwość nośników w półprzewodniku i jak ten parametr zmienia się (wykresy) w funkcji: - koncentracji ( N d ), - temperatury (T), - natężenia pola elektrycznego (E). Co jest konsekwencją zróżnicowania ruchliwości w półprzewodniku typu n i p? 31. Zdefiniuj pojęcie konduktywności półprzewodnika. Omów, przyczynę zmian konduktywności półprzewodnika od temperatury, przedstawionych na wykresie lnσ = f( 1/T). 32. Jakie mogą być przyczyny zmian koncentracji nośników nadmiarowych w czasie n, (p) = f (t) w materiałach półprzewodnikowych. Narysuj wykres przedstawiający takie zmiany. Zdefiniuj pojęcie czasu życia nośników nadmiarowych. 33. Wyjaśnij pojęcie pole wbudowane w półprzewodniku. Od czego zależy natężenie pola wbudowanego E (wzór). Jakie są konsekwencje występowania pola E w określonym obszarze materiału półprzewodnikowego i w jakim przyrządzie półprzewodnikowym efekt ten się wykorzystuje. 34. Wymień rodzaje złącz p n. 35. Przedstaw model pasmowy złącza p n bez polaryzacji zewnętrznej. 36. Przedstaw model pasmowy złącza p n dla polaryzacji przewodzenia. 37. Przedstaw model pasmowy złącza p n dla polaryzacji zaporowej. 38. Przedstaw mechanizm powstawania złącza p n.wyjaśnij pojęcia: bariera potencjału; warstwa zaporowa; napięcie dyfuzyjne.
4 39. Co to jest napięcie dyfuzyjne złącza p n. Od czego zależy jego wartość (wzór). 40. Wymień założenia przyjmowane dla opisu idealnego złącza p n. 41. Przedstaw charakterystykę I = f (U) idealnego złącza p n, opisz ją wzorem ( wzór Shockley`a), określ przedział zmian wartości współczynnika doskonałości złącza p n co opisuje ten współczynnik? 42. Omów przepływ nośników w złączu p n dla kierunku przewodzenia. 43. Omów przepływ nośników w złączu p n dla kierunku zaporowego. 44. Przedstaw charakterystykę I = f(u) rzeczywistego złącza p n ( zaznacz wpływ rezystancji szeregowej i równoległej złącza). 45. Z czego wynika występowanie w złączu p n rezystancji szeregowej i równoległej. Przedstaw sposób jej wyznaczania z charakterystyki I = f(u) złącza rzeczywistego. 46. Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia Zenera. Zilustruj na modelu pasmowym mechanizm tego zjawiska. Podaj praktyczny sposób wykorzystania tego zjawiska. 47. Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia lawinowego. Zilustruj mechanizm tego zjawiska. Podaj wzór empiryczny określający współczynnik powielania. 48. Czym jest przebicie złącza p n? Wymień i opisz rodzaje przebić występujących w przyrządach półprzewodnikowych. 49. Przedstaw charakterystykę I = f (U) spolaryzowanej zaporowo diody stabilizacyjnej. Wymień parametry charakteryzujące właściwości diody. 50. O czym informuje oznaczenie diody stabilizacyjnej o symbolu BZP 620 C9V2? Jaki rodzaj przebicia wystąpi w takiej diodzie? Jaki parametr charakteryzować będzie stabilizator szeregowy zbudowany z wykorzystaniem takiej diody. Zdefiniuj ten współczynnik. 51. W zakresie przebicia złącza korzystając z charakterystyki prądowo- napięciowej diody Zenera przedstaw sposób wyznaczania rezystancji dynamicznej r z. Jak rezystancja dynamiczna diody Zenera (w zakresie przebicia złącza) zależy od napięcia Zenera U z. 52. Określ jaką rolę w układzie prostownika spełnia dioda prostownicza. Podaj jej symbol graficzny, podstawowe parametry. Przy jakiej polaryzacji złącza wykorzystuje się taką diodę przy prostowaniu sygnału przemiennego (spolaryzuj w takim przypadku tę
5 diodę). 53. Korzystając z charakterystyki I = f (U) diody prostowniczej wyjaśnij na czym polega prostowanie prądu lub napięcia przemiennego w układach zasilania prądem stałym. 54. Jaką funkcję spełnia w urządzeniach zasilających układ prostownika (schemat prostownika jedno-połówkowego). Przedstaw przebieg napięcia na obciążeniu bez i z podłączonym równolegle na wyjściu układu filtrem pojemnościowym. 55. Przedstaw schemat układu prostownika dwu-połówkowego mostkowego (układ Graetza). W jaki sposób w układzie tym możliwe jest prostowanie sygnału przemiennego (przedstaw przebieg wyprostowanego dwu-połówkowo sygnału na obciążeniu). 56. Przedstaw: symbol, strukturę w przekroju( konstrukcję) oraz ogólna zasadę polaryzacji tranzystora bipolarnego npn w zakresie aktywnym normalnym. Jak w tym zakresie pracy tranzystora bipolarnego typu npn przedstawia się relacja między potencjałami elektrod tranzystora? 57. Wyjaśnij pojęcie tranzystor bipolarny z bazą jednorodną, tranzystor bipolarny dryftowy. Który z tych tranzystorów bipolarnych pracować będzie przy wyższych częstotliwościach i dlaczego? 58. Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu npn pracował w zakresie aktywnym normalnym. Narysuj dla tranzystora tego typu układy pracy WBaza (OB.), WEmiter (OE). 59. Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu pnp pracował w zakresie aktywnym normalnym. Narysuj dla tranzystora tego typu układy pracy WBaza (OB.), WEmiter (OE). 60. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy aktywnej normalnej w układzie WEmiter (OE). 61. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej normalnej w układzie WEmiter (OE). 62. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy aktywnej normalnej w układzie WBaza (OB.). 63. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej normalnej w układzie WBaza (OB.). 64. Zdefiniuj współczynnik a, b, a c. Podaj typowe wartości tych współczynników. 65. Opisz rozpływ prądu w tranzystorze bipolarnym typu npn w układzie WBaza (OB). 66. Opisz tranzystor bipolarny jako wzmacniacz mocy. Narysuj charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie WEmitera (OE) ( Zaznaczyć odcięcie i nasycenie tranzystora).
6 67. Narysuj charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie WBaza (OB) ( Zaznaczyć odcięcie i nasycenie tranzystora). 68. Zdefiniuj prądy zerowe tranzystora bipolarnego. Przedstaw na charakterystyce Ic = f (U CE ), Ic = f (U CB ) zależności między nimi. 69. Przedstaw model czwórnikowi z macierzą h opisujący pracę tranzystora bipolarnego z małymi sygnałami. 70. Przedstaw model tranzystora bipolarnego s układzie Emitera z wykorzystaniem parametrów macierzy h 71. Przedstaw wykres wzmocnienia prądowego w układzie WEmitera (OE) od częstotliwości. 72. Przedstaw klasyfikację tyrystorów i narysuj ich charakterystyki I = f (U). 73. Przedstaw strukturę warstwową ( model), model dwutranzystorowy, charakterystykę I = f (U) dynistora. Przedstaw wzór na I A. Określ warunek załączania. 74. Przedstaw metody załączania tyrystora. 75. Przedstaw strukturę warstwową ( model), model dwutranzystorowy, charakterystykę I = f (U) tyrystora. Przedstaw wzór na I A. Określ warunek załączania 76. Wyjaśnij określenie tranzystory polowe ( unipolarne). Określ podstawowe różnice między tranzystorami tego typu a tranzystorem bipolarnym. 77. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukture rzeczywistą, symbol ogólny i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu n. 78. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukture rzeczywistą, symbol ogólny i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu p. 79. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET. Zefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : G DS0 ; g ds ; I DSS Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora JFET. Zefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : g m ; U p ; I DSS. 81. Opisz własności idealnej struktury MIS (MOS) wytwarzanie stanu akumulacji, zubożenia i inwersji w półprzewodniku. 82. Przedstaw klasyfikacje tranzystorów MIS i opisz zasadę ich działania.wymień odmiany technologiczne tranzystorów MIS. Wymień i opisz odmiany układowe tranzystorów MIS. 83. Przedstaw budowę struktury i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n. 84. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n. 85. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z
7 kanałem typu n. 86. Przedstaw schemat UC. Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy scalone. Zdefiniuj pojęcie czas propagacji bramki (rys). 87. Wyjaśnij pojęcie UC kombinacyjny, UC sekwencyjny 88. Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy scalone. Zdefiniuj pojęcie Margines zakłóceń dla stany wysokiego (M H ), stanu niskiego (M l ). 89. Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy scalone. Zdefiniuj i określ wzorem pojęcie Moc strat. 90. Przedstaw tabelę stanów logicznych bramki NOR i NAND. Co to oznacza,że bramka pracuje w logice dodatniej? 91. Przedstaw budowę i zasadę działania inwertera CMOS. 92. Określ zasadę zasilania i podstawowe parametry statyczne i dynamiczne układów TTL,CMOS. 93. Określ podstawowe parametry statyczne i dynamiczne (napięcie zasilania, stany logiczne, charakterystyka przejściowa, moc tracona, czasy propagacji) układów TTL i CMOS. 94. Przedstaw charakterystykę przejściową bramki TTL. Zaznacz na niej oczekiwane wartości napięć. 95. Co to jest obciążalność bramki? 96. Wymień podstawowe parametry rodziny układów TTL standard. 97. Porównaj układy cyfrowe wytwarzane w technologii TTL i CMOS. 98. Wyjaśnij skróty i symbole: 74S..., 74L..., 74LS..., 74AS..., 74ALS Wymień cele i skutki scalanie układów elektronicznych Omów ( narysuj) budowę tranzystora bipolarnego npn w krzemowym układzie scalonym Dokonaj klasyfikacji pamięci półprzewodnikowych. 100.Wymień parametry pamięci półprzewodnikowych. 101.Omów budowę zasadę działania komórki pamięci D-RAM 102.Wyjaśnij korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces rekombinacji promienistej prowadzący do spontanicznej emisji światła. 103.Korzystając z modelu pasmowego złącza p-n przedstaw mechanizm spontanicznej emisji światła. Jak należy spolaryzować złącze p-n by była ona możliwa? Przy jakich wartościach napięć zasilających zachodzi to zjawisko?
8 104.Przedstaw korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces rekombinacji promienistej prowadzący do emisji stymulowanej. Czym charakteryzuje się tego rodzaju emisja? W jakim przyrządzie półprzewodnikowym efekt ten wykorzystuje się? 105.Przedstaw jak rodzaj występującej emisji i charakter charakterystyki widmowej zależy od wartości napięcia zasilania złącza p-n. 106.Narysuj typową konstrukcję diody LED. W jaki sposób można wpływać na optykę geometryczną diody LED by skuteczniej wyprowadzać generowane promieniowanie z typowej konstrukcji? 107.Wymień i zdefiniuj parametry diody LED. Przedstaw charakterystykę prądowonapięciową (I = f (U)) diody LED w zakresie polaryzacji przy jakiej dioda ta pracuje. 108.Przedstaw charakterystykę prądowo- napięciową (I = f (U)), charakterystykę widmową (np. w zakresie promieniowania podczerwonego) oraz określ typową wartość sprawności energetycznej diody LED. Od czego zależy długość fali generowanego w takiej diodzie promieniowania? 109.Wymień znane Ci przykłady zastosowań diod LED, białych diod LED. Od czego zależy długość fali generowanego w takiej diodzie promieniowania? 110.akie są zalety źródeł światła białego LED w porównaniu z klasyczną żarówką. 111.Przedstaw zasady konstrukcji i działania, charakterystykę widmową diody LED emitującej światło białe. 112.Omów zasadę działania i budowę lasera półprzewodnikowego oraz określ warunki uzyskania akcji laserowej w laserze pp. W jaki sposób uzyskuje się inwersję obsadzeń? 113.Przedstaw zależność mocy promienistej lasera od prądu zasilającego. 114.Wymień znane Ci zastosowania laserów półprzewodnikowych. 115.Omów zasadę działania i budowę diody laserowej oraz określ warunki uzyskania emisji wymuszonej w obszarze aktywnym. 116.Jaką rolę spełniają fotodetektory? Omów wewnętrzne zjawisko foto-elektryczne w półprzewodniku samoistnym i, domieszkowym typu n i p. Określ warunek progowy wewnętrznego zjawiska fotoelektry-cznego dla tego rodzaju pp. 117.Jak działa fotorezystor? Przedstaw: symbol, przekrój przez konstrukcję. Jakich materiałów jest wykonywany( przykłady)? Przedstaw charakterystykę prądowonapięciową (I = f(u)) fotorezystora gdy zmienia się natężenie padającego światła na jego powierzchnię. 118.Od czego zależy przyrost liczby nośników Δn, (Δp) gdy oświetlimy fotorezystor? Jak przyrost ten wpływa na konduktywność materiału pp? W jakich warunkach fotorezystor charakteryzować będzie się największą wartością rezystancji? 119.Przedstaw charakterystykę prądowo- napięciową (I = f(u)) fotorezystora gdy zmienia się natężenie padającego światła na jego powierzchnię? Wymień parametry opisujące fotorezystor.
9 120.Omów zasadę działania fotodiody wykorzystywanej jako fotodetektor. Przedstaw jej symbol, przekrój przez konstrukcję, ch- kę I = f(u), wzór I = f(u) uwzględniający pojawienie się fotoprądu gdy element ten oświetlimy. 121.Jak prąd fotodetektora jakim jest fotodioda zależy od polaryzującego napięcia (wzór)? Przy jakiej polaryzacji dioda wykorzystywana jako fotodetektor pracuje? 122.Omów zasadę działania fotodioy typu p-i-n wykorzystywanej jako fotodetektor. Przedstaw przekrój przez jej strukturę. Wymień jej typowe zastosowania. 123.Jak działa fototranzystor? W jaki sposób zachodzi w nim wewnętrzne wzmocnienie prądu fotoelektrycznego? Przedstaw jego budowę i charakterystykę wyjściową przy sterowaniu strumieniem promieniowania. 124.Scharakteryzuj półprzewodnikowy przyrząd optoelektroniczny jakim jest transoptor. Podaj przykłady takich elementów. Narysuj typowe charakterystyki przenoszenia sygnałów elektrycznych pomiędzy wejściem i wyjściem transoptora dioda LED fotodioda. 125.W jaki sposób na zaciskach złącza p-n wykorzystywanego jako fotoogniwo pojawia się siła elektromotoryczna? Jak spolaryzowane jest wówczas złącze? Podaj przykład wykorzystania takiego foto elementu. 126.Narysuj ch-kę I = f(u) fotoogniwa. Zdefiniuj podstawowe parametry opisujące ten element i przykłady jego zastosowania..
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elementów Elektronicznych. Sprawozdanie nr Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych.
Laboratorium Elementów Elektronicznych Sprawozdanie nr 7 Tematy ćwiczeń: 13. Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych 14. Charakterystyki i parametry transoptorów
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoElementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści
Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE
PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowo12.7 Sprawdzenie wiadomości 225
Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoZapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.
adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..
Bardziej szczegółowoLaboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW
Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE
Ćwiczenie - 2 DIODA - PARAMETRY, CHARAKTERYSTYKI I JEJ ZASTOSOWANIE Spis treści 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe rodzaje diod półprzewodnikowych................... 3 2.1.1 Dioda
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoWybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.
Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoDiagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne
Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoSkrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych
POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział Elektryczny Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Podstaw Elektroniki bud. A-5 s.211 (a,b) Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoSpis treści 3. Spis treści
Spis treści 3 Spis treści Przedmowa 11 1. Pomiary wielkości elektrycznych 13 1.1. Przyrządy pomiarowe 16 1.2. Woltomierze elektromagnetyczne 18 1.3. Amperomierze elektromagnetyczne 19 1.4. Watomierze prądu
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoBADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Bardziej szczegółowospis urządzeń użytych dnia moduł O-01
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoIV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014
EUROEEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 013/014 Instrukcja dla zdającego Zadania z elektroniki na zawody I stopnia (grupa elektroniczna) 1. Czas trwania zawodów:
Bardziej szczegółowo2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoĆ w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH
Ć w i c z e n i e 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH. Wiadomości ogólne Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są m.in. do ładowania akumulatorów,
Bardziej szczegółowoZbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz
Bardziej szczegółowo