1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
|
|
- Władysława Urban
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń Zarys właściwości półprzewodników Półprzewodniki stosowane w elektronice Struktura energetyczna półprzewodników Nośniki ładunku w półprzewodnikach Statystyka nośników ładunku w półprzewodnikach Przewodnictwo elektryczne Dyfuzja nośników ładunku Zjawiska kontaktowe Kontakt metal-półprzewodnik (m-p) Złącze p-n Stan równowagi złącza Przepływ prądu przez złącze p-n Diody Model diody złączowej p + -n Równanie rzeczywistej diody złączowej p-n Parametry diody prostowniczej Pojemności złącza p + -n Małosygnałowe modele diody Diody stabilizacyjne Diody tunelowe Tranzystory bipolarne Budowa i działanie tranzystorów bipolarnych Struktury złączowe tranzystorów Konfiguracje i stany pracy tranzystora Charakterystyki stałoprądowe Model Ebersa-Molla Charakterystyki tranzystora w konfiguracji OE Transportowy model tranzystora Parametry i modele małosygnałowe tranzystorów bipolarnych 80 5
2 Definicje podstawowe Określenie punktu pracy tranzystora Tranzystor jako czwórnik aktywny Model typu hybryd n dla konfiguracji OE Model hybryd Ti dla konfiguracji OB Hybrydowe parametry typu h Częstotliwości graniczne tranzystora Narażenia napięciowe tranzystorów Tranzystory polowe Zasada działania i podział tranzystorów polowych Złączowy tranzystor polowy JFET i jego modele Parametry małosygnałowe tranzystora JFET Ograniczenia częstotliwościowe i częstotliwość odcięcia Tranzystor polowy z izolowaną bramką (MOSFET) i jego modele Wielkosygnałowy model zastępczy tranzystora MOSFET Małosygnałowy model tranzystora MOSFET Małosygnałowy admitancyjny schemat zastępczy tranzystorów polowych Przyrządy optoelektroniczne Fotoogniwo Fotodioda Fototranzystor Dioda elektroluminescencyjna (LED - Light Emitting Diodę) Laser półprzewodnikowy Tyrystory i triaki Budowa i działanie tyrystora Triaki Struktury tyrystorowe V-MOS i D-MOS Wybrane przyrządy elektroniczne Termoelement Peltiera (chłodziarka termoelektryczna) Warystor Hallotron Magnetorezystor Układy zasilania tranzystorów Wybór punktu pracy tranzystora Statyczne i dynamiczne proste robocze układów wzmacniających Zasilanie i stabilizacja punktów pracy tranzystorów w układach dyskretnych Układy zasilania tranzystorów bipolarnych Układy zasilania tranzystorów unipolarnych Zasilanie i stabilizacja punktów pracy tranzystorów w układach scalonych 171
3 Ogólna charakterystyka obwodów zasilania w układach scalonych Podstawowe bloki w układach zasilania i stabilizacji punktów pracy tranzystorów bipolarnych Źródła stałoprądowe - lustra prądowe Stałoprądowe źródła odniesienia Źródła napięcia odniesienia Podstawowe bloki w układach zasilania i stabilizacji punktów pracy tranzystorów unipolarnych Źródła stałoprądowe - lustra prądowe Źródła napięciowe Wzmacniacze tranzystorowe w różnych konfiguracjach Wprowadzenie Klasyfikacja wzmacniaczy Tworzenie schematów zastępczych wzmacniaczy Właściwości wzmacniaczy w zakresie średnich częstotliwości Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego emitera Wzmacniacz w konfiguracji wspólnej bazy Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego kolektora - wtórnik emiterowy Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego źródła Wzmacniacz w konfiguracji wspólnej bramki Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego drenu - wtórnik źródłowy Właściwości wzmacniaczy w zakresie dużych częstotliwości Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego emitera i wspólnego źródła Wzmacniacz w konfiguracji wspólnej bazy i wspólnej bramki Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego kolektora i wspólnego drenu Charakterystyki częstotliwościowe wzmacniaczy RC w zakresie małych częstotliwości Sprzężenie zwrotne Uwagi ogólne Elementarna teoria sprzężenia zwrotnego Wpływ sprzężenia zwrotnego na właściwości wzmacniaczy Wpływ sprzężenia zwrotnego na wrażliwość wzmocnienia Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na zniekształcenia nieliniowe, zakłócenia i szumy Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na impedancję wejściową wzmacniacza 236
4 Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na impedancję wyjściową wzmacniacza Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na charakterystyki częstotliwościowe wzmacniaczy Stabilność układów ze sprzężeniem zwrotnym Przykłady wzmacniaczy z ujemnym sprzężeniem zwrotnym Wzmacniacze prądu stałego Wprowadzenie Wzmacniacz różnicowy z tranzystorami bipolarnymi Zasada działania wzmacniacza różnicowego Charakterystyka przejściowa wzmacniacza Analiza małosygnałowa Wzmacniacz różnicowy w zakresie dużych częstotliwości Wzmacniacze z obciążeniem aktywnym Wzmacniacz różnicowy z tranzystorami MOS Charakterystyka przejściowa wzmacniacza Wzmacniacze różnicowe MOS z obciążeniem aktywnym. Analiza małosygnałowa Wzmacniacze operacyjne Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych Budowa wzmacniaczy operacyjnych Kompensacja charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego Szybkość narastania napięcia wyjściowego Inne wzmacniacze operacyjne Liniowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych Wprowadzenie Podstawowe konfiguracje wzmacniacza operacyjnego w układach wzmacniających Wzmacniacz odwracający Wzmacniacz sumujący Wzmacniacz nieodwracający Wtórnik napięciowy Wzmacniacz różnicowy Układy całkujące i różniczkujące Układ całkujący Układ różniczkujący Filtry aktywne Klasyfikacja filtrów aktywnych i metody ich realizacji Filtry bikwadratowe Filtry aktywne realizowane metodą zmiennych stanu Filtry aktywne z analogami indukcyjności 313
5 Filtry C-przełączane Uwagi wstępne Przykłady realizacji integratorów i filtrów SC Filtry aktywne C pracujące w czasie ciągłym Wzmacniacze szerokopasmowe i impulsowe Wprowadzenie Aproksymacja charakterystyk częstotliwościowych oraz związki między charakterystykami częstotliwościowymi i czasowymi układów liniowych Zagadnienie aproksymacji charakterystyk idealnych Maksymalnie płaska charakterystyka wzmocnienia Charakterystyka równomiernie falista Charakterystyka maksymalnie liniowej fazy Związki pomiędzy parametrami częstotliwościowymi i impulsowymi wzmacniacza Sposoby rozszerzania pasma wzmacniaczy Właściwości szerokopasmowe jednostopniowego wzmacniacza oporowego w konfiguracji OE Wzmacniacze z korekcją obwodów sprzęgających Wzmacniacze z korekcją w obwodzie sprzężenia zwrotnego Wzmacniacze kaskodowe Niesymetryczny wzmacniacz różnicowy - układ OC-OB Scalone wzmacniacze szerokopasmowe Wzmacniacze selektywne wielkiej częstotliwości Wprowadzenie Obwody rezonansowe LC Pojedynczy obwód rezonansowy LC Obwody rezonansowe sprzężone Filtry piezoelektryczne Rodzaje filtrów piezoelektrycznych Filtry kwarcowe Filtry ceramiczne Przykłady analizy jednostopniowych wzmacniaczy rezonansowych LC Stabilność wzmacniaczy rezonansowych Wzmacniacze selektywne o ulepszonych właściwościach wielkoczęstotliwościowych Techniki realizacji wzmacniaczy selektywnych w.cz Wzmacniacze mocy Specyficzne problemy wzmacniaczy mocy Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy 380
6 Klasy pracy wzmacniaczy Układy sprzęgające obciążenie ze wzmacniaczem Zniekształcenia nieliniowe we wzmacniaczach mocy Wzmacniacze mocy klasy A Wzmacniacz z obciążeniem rezystancyjnym bezpośrednio włączonym w obwód kolektora Wzmacniacz ze sprzężeniem transformatorowym Przeciwsobne wzmacniacze klasy B i AB Zależności energetyczne wzmacniacza klasy B Charakterystyka przejściowa i zniekształcenia nieliniowe Rozwiązania układowe wzmacniaczy klasy AB Wzmacniacze mocy z tranzystorami MOSFET Szumy w układach elektronicznych Źródła i rodzaje szumów Uwagi wstępne Szumy cieplne Szumy śrutowe Szumy strukturalne (szumy l/f lub szumy migotania) Szumy wybuchowe Szumy lawinowe Szumowe modele przyrządów półprzewodnikowych Dioda półprzewodnikowa Tranzystor bipolarny Tranzystor unipolarny JFET Tranzystor unipolarny MOSFET Sumowanie źródeł szumowych Całkowity szum zastępczy odniesiony do wejścia wzmacniacza Zastępcze źródła szumów odniesione do wejścia wzmacniacza Zastępcze źródła szumów tranzystora bipolarnego Zastępcze źródła szumów tranzystorów polowych Wpływ sprzężenia zwrotnego na parametry szumowe wzmacniacza Parametry szumowe układów elektronicznych Stabilizatory o pracy ciągłej Definicje, parametry i klasyfikacja stabilizatorów Stabilizatory parametryczne Parametryczny stabilizator napięcia z diodą stabilizacyjną (Zenera) Parametryczny stabilizator prądu Podsumowanie właściwości stabilizatorów parametrycznych Stabilizatory kompensacyjne 429
7 Zasada działania stabilizatorów kompensacyjnych Szeregowe stabilizatory napięcia Równolegle stabilizatory napięcia Układy zabezpieczeń stabilizatorów Układ z ograniczeniem prądu obciążenia Układ z redukcjąprądu zwarcia Ogranicznik prądu ze sprzężeniem zwrotnym Zabezpieczenia nadnapięciowe Zabezpieczenie termiczne Kompensacyjny stabilizator prądu Monolityczne stabilizatory napięcia 445 Literatura uzupełniająca 449
Spis treści Przełączanie złożonych układów liniowych z pojedynczym elementem reaktancyjnym 28
Spis treści CZE ŚĆ ANALOGOWA 1. Wstęp do układów elektronicznych............................. 10 1.1. Filtr dolnoprzepustowy RC.............................. 13 1.2. Filtr górnoprzepustowy RC..............................
Bardziej szczegółowoSpis treści 3. Spis treści
Spis treści 3 Spis treści Przedmowa 11 1. Pomiary wielkości elektrycznych 13 1.1. Przyrządy pomiarowe 16 1.2. Woltomierze elektromagnetyczne 18 1.3. Amperomierze elektromagnetyczne 19 1.4. Watomierze prądu
Bardziej szczegółowoSztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, Spis treści
Sztuka elektroniki. Cz. 1 / Paul Horowitz, Winfield Hill. wyd. 10. Warszawa, 2013 Spis treści Spis tablic 9 Przedmowa 11 Przedmowa do pierwszego wydania 13 ROZDZIAŁ 1 Podstawy 15 Wstęp 15 Napięcie, prąd
Bardziej szczegółowoEiT_S_I_AUK1. przedmiot kierunkowy (podstawowy / kierunkowy / inny HES) obowiązkowy (obowiązkowy / nieobowiązkowy) polski semestr II
KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. Kod modułu EiT_S_I_AUK1 Nazwa modułu Analogowe układy elektroniczne 1 Nazwa modułu w języku angielskim
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoElektrotechnika I stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne)
Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Podstawy elektroniki 1 Nazwa modułu w języku angielskim Fundamentals of Electronics
Bardziej szczegółowoRok akademicki: 2018/2019 Kod: IET s Punkty ECTS: 6. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne
Nazwa modułu: Analogowe układy elektroniczne 1 Rok akademicki: 2018/2019 Kod: IET-1-306-s Punkty ECTS: 6 Wydział: Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja Specjalność:
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego
Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny. przykłady zastosowań
Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.
Bardziej szczegółowoTable of Contents. Table of Contents UniTrain-I Kursy UniTrain Kursy UniTrain: Elektronika. Lucas Nülle GmbH 1/14
Table of Contents Table of Contents UniTrain-I Kursy UniTrain Kursy UniTrain: Elektronika 1 2 2 3 Lucas Nülle GmbH 1/14 www.lucas-nuelle.pl UniTrain-I UniTrain is a multimedia e-learning system with integrated,
Bardziej szczegółowoINDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103
INDEKS.AC... 45.DC... 20,35,136.END... 3,5,22.ENDS... 68.FOUR... 94.IC... 72.INC... 67.LIB... 92.MC... 41.MODEL... 21,42,111.NODESET... 27.NOISE... 65.OP... 19.OPTIONS... 24, 85, 130, 135, 166.PLOT...
Bardziej szczegółowoSztuka elektroniki. 1 Paul Horowitz, Winfield Hill. Wydanie 12 zmienione. Warszawa, Spis treści. Przedmowa do pierwszego wydania angielskiego 18
Sztuka elektroniki. 1 Paul Horowitz, Winfield Hill. Wydanie 12 zmienione. Warszawa, 2018 Spis treści Spis tablic 12 Przedmowa 13 Przedmowa do drugiego wydania angielskiego 16 Przedmowa do pierwszego wydania
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
1 ĆWICZENIE 14 BADANIE SCALONYCH WZMACNIACZY OPERACYJNYCH 14.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest pomiar wybranych charakterystyk i parametrów określających podstawowe właściwości statyczne i dynamiczne
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12
PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowo1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 2. Generatory drgań sinusoidalnych
Spis treści Przedmowa 11 Wykaz ważniejszych oznaczeń 13 1. Rezonansowe wzmacniacze mocy wielkiej częstotliwości 19 1.1. Wprowadzenie 19 1.2. Zasada pracy i ogólne własności rezonansowych wzmacniaczy mocy
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone
Bardziej szczegółowoZał. nr 4 do ZW 33/2012 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI
WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI Zał. nr 4 do ZW 33/0 KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim : UKŁADY ELEKTRONICZNE Nazwa w języku angielskim: ELECTRONIC CIRCUITS Kierunek studiów (jeśli dotyczy):
Bardziej szczegółowoWzmacniacze, wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze, wzmacniacze operacyjne Schemat ideowy wzmacniacza Współczynniki wzmocnienia: - napięciowy - k u =U wy /U we - prądowy - k i = I wy /I we - mocy - k p = P wy /P we >1 Wzmacniacz w układzie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoWzornictwo Przemysłowe I stopień ogólnoakademicki studia stacjonarne wszystkie specjalności Katedra Automatyki i Robotyki Dr inż.
Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki Nazwa modułu w języku angielskim Fundamentals
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoRys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia
ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoLekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.
Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu
Bardziej szczegółowoWykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium 30 15
Zał. nr 4 do ZW 33/0 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Mikroelektroniczne układy analogowe i cyfrowe Nazwa w języku angielskim Microelectronic analog and digital
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.
Bardziej szczegółowoWydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część VI Sprzężenie zwrotne Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny w układach z ujemnym i dodatnim sprzężeniem zwrotnym Janusz Brzychczyk IF UJ Sprzężenie zwrotne Sprzężeniem
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny
Wzmacniacz operacyjny opisywany jest jako wzmacniacz prądu stałego, czyli wzmacniacz o sprzężeniach bezpośrednich, który charakteryzuje się bardzo dużym wzmocnieniem, wejściem różnicowym (symetrycznym)
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoWzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1
Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacze selektywne
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoOpis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń
Opis przedmiotu 3 części zamówienia Zestawy ćwiczeń Załącznik 4c do SIWZ Lp. NAZWA OPIS GŁÓWNYCH PARAMETRÓW TECHNICZNYCH ILOŚĆ (szt.) Zestaw powinien składać się min. z modułu bazowego oraz modułów ćwiczeniowych
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoKARTA PRZEDMIOTU. studia niestacjonarne. Kod przedmiotu:
(pieczęć wydziału) KARTA PRZEDMIOTU Nazwa przedmiotu: PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI, MIERNICTWA I ELEKTRONIKI Karta przedmiotu ważna od roku akademickiego: 2014/2015 Forma kształcenia: studia niestacjonarne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowo2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoWYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI
Zał. nr 4 do ZW 33/01 WYDZIAŁ PPT KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim: Przyrządy i układy półprzewodnikowe II Nazwa w języku angielskim: Semiconductor devices and circuits II Kierunek studiów: Fizyka
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoRealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ
ealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych W6-7/ Podstawowe układy pracy wzmacniacza operacyjnego Prezentowane schematy podstawowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym zostały
Bardziej szczegółowoLista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4
Lista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4 1. Dioda półprzewodnikowa: podaj symbol oraz zapisz równanie opisujące zależność pomiędzy prądem i napięciem. Narysuj charakterystyki napięciowo
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych
Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoRok akademicki: 2016/2017 Kod: EEL n Punkty ECTS: 7. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: -
Nazwa modułu: Podstawy elektroniki i energoelektroniki 2 Rok akademicki: 2016/2017 Kod: EEL-1-504-n Punkty ECTS: 7 Wydział: Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Inżynierii Biomedycznej Kierunek:
Bardziej szczegółowoJednostka tematyczna. Temat lekcji/bloku zajęć praktycznych
Rozkład materiału z przedmiotu teoretycznego Elektrotechnika i elektronika. dla Technikum Zawód- Technik elektronik Klasa 1TZ Rok szkolny 2016/17 Nr programu w SZP 311408/29-08-2012. Przygotował: Zespół
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny
parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoSkrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych
POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział Elektryczny Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Podstaw Elektroniki bud. A-5 s.211 (a,b) Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet
Bardziej szczegółowoWzmacniacz na tranzystorze J FET
Wzmacniacz na tranzystorze J FET Najprostszym wzmacniaczem sygnałów w. cz. jest tranzystorowy wzmacniacz oporowy. Można go zrealizować zarówno na tranzystorze bipolarnym jak i na polowym (JFET, MOSFET).
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoSpis treści. 1. Podstawy elektrotechniki 11. doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż.
Spis treści 1. Podstawy elektrotechniki 11 doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż. Alicja Zielińska 1.1. Pojęcia podstawowe i jednostki miar 11 1.2. Pole elektrostatyczne,
Bardziej szczegółowo