WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.
|
|
- Grażyna Andrzejewska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi półprzewodnikowymi elementami elektronicznymi: dioda prostownicza dioda stabilizacyjna (Zenera) tranzystor tyrystor transoptor i ich prostymi aplikacjami, które są podstawą budowy urządzeń automatyki. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków. Mechanizm przewodzenia prądu w ciałach stałych tłumaczony jest popularnie w oparciu o pasmowy model ciał stałych krystalicznych. Na rys.1.1 przedstawiono wykresy pasm energetycznych atomów a) przewodnika, b) półprzewodnika, c) dielektryka. JeŜeli na ciało nie działa Ŝadna zewnętrzna energia (ciepło, promieniowanie,...) to pasmo podstawowe (walencyjne) jest całkowicie obsadzone przez elektrony, a pasmo przewodnictwa moŝe być nie obsadzone lub częściowo obsadzone elektronami. W paśmie częściowo obsadzonym pozostają wolne poziomy energetyczne, po których mogą poruszać się elektrony i pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego, moŝe nastąpić uporządkowane przemieszczanie elektronów między atomami, czyli przepływ prądu elektrycznego. Ciało stałe o takim typie przewodnictwa nazywamy przewodnikiem. W półprzewodnikach samoistnych, gdy nie ma oddziaływań zewnętrznych, pasmo przewodnictwa jest puste. Jednak niewielka szerokość pasma zabronionego zbliŝona do 2 ev, pozwala elektronom pasma walencyjnego, przy dostarczeniu niewielkiej ilości energii
2 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.2/10 (temperatura pokojowa) na przechodzenie do pasma przewodnictwa. Proces taki nazywamy generacją termiczną nośników prądu dziura-elektron. W dielektrykach pasmo zabronione ma szerokość większą od 2eV i stanowi barierę dla elektronów, które mogłyby przedostać się do pasma przewodnictwa i być nośnikami prądu elektrycznego. W produkcji elementów półprzewodnikowych stosuje się półprzewodniki domieszkowe. Do czystych pierwiastków germanu lub krzemu, które są pierwiastkami IV grupy okresowego układu pierwiastków, dodaje się domieszki atomów grupy III (bor, aluminium, gal) lub V(fosfor, arsen antymon). Wprowadzenie do sieci krystalicznej krzemu domieszki w postaci pierwiastka III grupy powoduje, Ŝe jeden z poziomów energetycznych w pobliŝu pasma podstawowego jest zapełniany przez elektrony pasma podstawowego. Poziom ten nazywamy poziomem akceptorowym, gdyŝ pobiera on elektrony pasma podstawowego w wyniku czego w paśmie podstawowym powstają dziury jako nośnik prądu. Półprzewodnik z dziurami jako nośnikami prądu nazywamy półprzewodnikiem typu p (Rys.1.2a). JeŜeli do sieci krystalicznej krzemu dodamy pierwiastek V grupy to uzyskamy dodatkowy poziom energetyczny w pobliŝu pasma przewodnictwa. Poziom ten nazywamy donorowym, gdyŝ elektrony tego poziomu mogą przechodzić do pasma przewodnictwa tworząc nośnik prądu w postaci elektronu w paśmie przewodnictwa. Półprzewodnik z elektronami jako nośnikami prądu nazywamy półprzewodnikiem typu n (Rys.1.2b). 1.2 Złącze p-n ZbliŜenie dwóch obszarów p i n na odległość oddziaływań międzyatomowych powoduje, Ŝe ze względu na róŝnice koncentracji elektrony z obszaru n przenikają do obszaru typu p. W wyniku tego na styku obu obszarów w obszarze n wystąpi nadmiar ładunku jonów dodatnich, a w obszarze p nadmiar ładunku ujemnego elektronów, czyli niezobojętnione jony związane z siecią krystaliczną nie mogące przewodzić prądu. Tworzą one ładunek przestrzenny. RóŜnica między tymi potencjałami nazywa się barierą potencjałów złącza p-n. Bariera ta powoduje, Ŝe w pewnym momencie następuje zahamowanie przenikania elektronów.
3 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.3/10 ładunek przestrzenny p akceptory n denorowy potencjał -Φ x Rys. 1.3 Rozkład ładunków przy zetknięcia kryształu typu n z kryształem typu p 1.3 Dioda prostownicza Jest to element zbudowanym z pojedyncznego złącza p-n, które ma wyprowadzone na zewnątrz obudowy dwie końcówki: K katodę podłączoną galwanicznie z obszarem typu n i A anodę podłączoną do obszaru typu p. Podłączenie diody do źródła napięcia w kierunku przewodzenia (tj. anoda do plusa a katoda do minusa) powoduje zmniejszenie bariery potencjału złącza p-n i przepływ prądu przez diodę. Gdy wykonamy połączenie odwrotne w kierunku zaporowym (tj. anoda do minusa a katoda do plusa) to zwiększamy barierę potencjału złącza p-n i uniemoŝliwiamy przepływ prądu przez diodę. Rysunek 1.3 przedstawia symbol graficzny diody prostowniczej półprzewodnikowej. a) I b) 0 U
4 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.4/10 c) I F I 0 U R U RWM 0 I R (U RWM ) U F (I 0 ) U F I R Rys Dioda prostownicza. a) symbol diody prostowniczej, b) charakterystyka prądowo napięciowa diody prostowniczej aproksymująca, c) charakterystyka prądowo napięciowa diody prostowniczej rzeczywista. Gdzie: U RWM maksymalne napięcie wsteczne, U F napięcie przewodzenia, I 0 maksymalny prąd przewodzenia. 1.4 Dioda stabilizacyjna (Zenera) Element róŝniący się od zwykłej diody prostowniczej tym, Ŝe w kierunku zaporowym przy wzroście napięcia powyŝej pewnej granicy zaczyna przewodzić prąd elektryczny. Granicę tą nazywamy napięciem Zenera lub napięciem stabilizacji diody. Wartość napięcia stabilizacji diody jest ustalana w procesie produkcyjnym i zawiera się w granicach od 2 Volt do kilkuset Volt. Rysunek 1.4 przedstawia symbol graficzny diody Zenera. 1.5 Tranzystor bipolarny Jest strukturą trójwarstwową p-n-p lub n-p-n o wyprowadzeniach E emiter, B baza, C kolektor (rys.1.5).
5 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.5/10 : Jednym z głównych zastosowań tranzystora jest wzmacnianie sygnałów elektrycznych. Ze względu na usytuowanie wejścia i wyjścia sygnału, wyróŝnić moŝna trzy układy pracy tranzystora: WE wspólny emiter WC wspólny kolektor WB wspólna baza Układy WC i WE posiadają duŝy współczynnik wzmocnienia prądowego ki (stosunek prądu sygnału wyjściowego do prądu sygnału wejściowego), który dla pojedyńczego tranzystora moŝe wynosić od 10 do Obecnie coraz częściej są stosowane w układach elektronicznych tranzystory unipolarne, które charakteryzują się bardzo duŝą rezystancją dla sygnału wejściowego rzędu Gigaomów. W takim przypadku moŝna mówić o napięciowym sterowaniu tranzystora. 1.6 Tyrystor Jest to elektroniczny element półprzewodnikowy składający się z czterech warstw p-n-p-n. Na zewnątrz obudowy tyrystora wyprowadzone są trzy końcówki A-anoda, K-katoda, G-bramka. Wyprowadzenia anoda-katoda stanowią układ prądowy tyrystora, a bramka jest wejściem sterującym. Tyrystor pracuje w jednym z dwóch stanów: blokowania przewodzenia. Gdy do bramki (wejścia sterującego tyrystora) zostanie doprowadzone odpowiednio wysokie napięcie to będący w stanie blokowania tyrystor przechodzi gwałtownie w stan przewodzenia, to znaczy przez obwód anoda-katoda zaczyna płynąć prąd. Prąd ten, podobnie jak w przypadku diody, moŝe płynąć tylko w jednym kierunku od anody do katody.
6 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.6/10 Strukturą pokrewną do tyrystora jest triak, który jest równoległym, przeciwsobnym połączeniem dwóch tyrystorów. Dzięki takiemu połączeniu przez triak moŝe płynąć prąd w obu kierunkach niezaleŝnie od polaryzacji obwodu prądowego. Rysunek 1.6 przedstawia symbol graficzny tyrystora i triaka. 2..LITERATURA 1. J. Kostro: Elementy, urządzenia i układy automatyki, WSZP 1983, ss A. Rusek: Podstawy elektroniki - część 1, WSiP 1979, ss J. Chabłowski, W. Skulimowski: Elektronika w pytaniach i odpowiedziach, WNT 1982, ss OPIS ZESTAWU LABORATORYJNEGO Na rys.2.1 przedstawiony jest wygląd zewnętrzny zestawu laboratoryjnego.
7 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.7/10 Jest to układ dwóch regulowanych płynnie źródeł napięcia wyposaŝonych w woltomierz i amperomierz. Działanie poszczególnych elementów regulacyjnych zestawu jest nas następujące: A1 amperomierz wskazujący prąd źródła E1 U1 woltomierz wskazujący napięcie źródła E1 P1 regulacja wartości napięcia źródła E1 (0 2,5 V) K11 przełącznik zakresu amperomierza A1 (5mA/50mA) K12 przełącznik polaryzacji (+/-) źródła E1 W1 wskaźnik polaryzacji źródła E1(+/-) A2 amperomierz wskazujący prąd źródła E2 U2 woltomierz wskazujący napięcie źródła E2 P2 regulacja wartości napięcia źródła E2 (0 20 V) K21 przełącznik zakresu amperomierza A2 (5mA/50mA) K22 przełącznik polaryzacji (+/-) źródła E2 W2 wskaźnik polaryzacji źródła E2 (+/-) X - przełącznik rodzaju pracy (const./pulse) źródła E2 (wciśnięty const.) 4. PRZEBIEG ĆWICZENIA Student wykonuje wybrane punkty ćwiczenia zgodnie z zaleceniami prowadzącego. 4.1 Dioda Charakterystyka prądowo - napięciowa diody Zenera I = f(u).
8 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.8/10 Kierunek przewodzenia Korzystając z zestawu laboratoryjnego, podłączyć układ pomiarowy według rys.3.1 Ustawić przełącznikiem K12 polaryzację źródła napięcia E1 tak, aby dioda pracowała w kierunku przewodzenia (określić wyprowadzenia diody). Następnie zmieniając potencjometrem P1 napięcie źródła E1 obserwować zmiany prądu diody na miliamperomierzu A1. Oczytać wartości napięcia na woltomierzu U1 dla prądu diody równego 0, 10, 20, 30, 40, 50 ma. Wyniki zapisać w tabeli. Kierunek zaporowy Korzystając z zestawu laboratoryjnego, podłączyć układ pomiarowy według rys.3.1a Ustawić przełącznikiem K22 polaryzację źródła napięcia E2 tak, aby dioda pracowała w kierunku zaporowym. Następnie zmieniając potencjometrem P2 napięcie źródła E2 obserwować zmiany prądu diody na miliamperomierzu A2. Oczytać wartości napięcia na woltomierzu U2 dla prądu diody równego 0, 10, 20, 30, 40, 50 ma. Wyniki zapisać w tabeli. Uzyskane i zapisane w tabelach wyniki przedstawić w formie wykresu I D = f(u D ) w odpowiednich ćwiartkach układu współrzędnych z zaznaczeniem wartości napięcia Zenera. 4.2 Tranzystor Charakterystyka przejściowa tranzystora bipolarnego npn w układzie wzmacniacza prądowego WE I C = f(i B ), U CE =const. Korzystając z zestawu laboratoryjnego połączyć układ przedstawiony na rys.3.2. Przy stałym napięciu kolektor-emiter U CE =12V, zmieniając potencjometrem P1 napięcie U1 zdjąć
9 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.9/10 charakterystykę I C = f(i B ). Pomiary wykonać dla I C = 0, 10, 20, 30, 40, 50 ma. Wyniki zapisać w tabeli i przedstawić w formie wykresu I C = f(i B ). Obliczyć dla kaŝdego punktu pomiarowego współczynnik wzmocnienia prądowego k i według wzoru: gdzie: β= k i = I C /I B k i współczynnik wzmocnienia prądowego w układzie WE, I C prąd kolektora tranzystora, I B prąd bazy tranzystora. 4.3 Tyrystor Charakterystyka przełączania tyrystora dla napięcia stałego I A = f(u G ), U AK =const. Korzystając z zestawu laboratoryjnego połączyć układ pomiarowy według rys.3.3. Ustawić połoŝenie przełącznika X tak, aby napięcie E2 = const. Obserwować natęŝenie prądu anodowego tyrystora (miliamperomierz A2), zmieniając napięcie bramki (woltomierz U1) w zakresie 0 2,5 0 V co 0,1 V przy stałym napięciu anoda-katoda U2 = U AK = 12V.Ćwiczenie powtórzyć kilkakrotnie i dokładnie ustalić wartość napięcia bramki U G, przy której następuje przejście w stan przewodzenia (następuje zapłon tyrystora). Zaproponować i wyjaśnić sposób wyłączenia tyrystora. Wyniki pomiarów zapisać w tabeli i przedstawić w formie wykresu I A =f(u G ), U AK =const.
10 Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.10/ Charakterystyka przełączania tyrystora dla napięcia pulsacyjnego I A = f(u G ), U AK =const. Zdjąć charakterystykę tyrystora analogicznie jak w punkcie 4.3.1, lecz dla pulsacyjnego napięcia anoda-katoda U AK (odpowiednie połoŝenie przycisku X). Ustalić wartość napięcia U G, przy którym następuje zapłon tyrystora. Wyjaśnić róŝnice w zachowaniu się tyrystora przy zasilaniu toru anoda-katoda napięciem stałym i pulsacyjnym. 4.4 Dwutyrystorowy regulator mocy prądu przemiennego. Korzystając z gotowego układu regulatora mocy podłączyć układ pomiarowy jak na rys.3.4. Zlokalizować zgodnie z przedstawionym schematem na Rys. 3.4 wszystkie elementy układu. Następnie zmieniając połoŝenie podwójnego potencjometru P zaobserwować działanie dwutyrystorowego regulatora mocy prądu przemiennego sterowanego załączaniem tyrystorów w róŝnych fazach napięcia sinusoidalnego. Dla układu z jednym tyrystorem (wyłącznik W1 wyłączony) i dla układu z dwoma tyrystorami (W1 załączony) wykonać kolejne czynności: - ustalić przy pomocy oscyloskopu zakres zmian kąta fazowego zapłonu tyrystora, - zaobserwować zmiany natęŝenia światła Ŝarówki (odbiornika) dla kąta zapłonu 0 0, 90 0,180 0, - zmierzyć przy pomocy miernika uniwersalnego skuteczną wartość napięcia wyjściowego na Ŝarówce dla 0 0, 90 0,180 0, - odrysować charakterystyczne przebiegi napięcia wyjściowego zaobserwowane na oscyloskopie, - zinterpretować uzyskane wyniki.
Badanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoDiody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.
Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoWłączanie i wyłączanie tyrystora. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia;
. Włączanie tyrystora przy pomocy kondensatora Cel ćwiczenia; Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora. Zapoznanie się z budową, działaniem i zastosowaniem tyrystora w obwodzie kondensatorem.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i Układy Półprzewodnikowe
VI. Prostownik jedno i dwupołówkowy Cel ćwiczenia: Poznanie zasady działania układu prostownika jedno i dwupołówkowego. A) Wstęp teoretyczny Prostownik jest układem elektrycznym stosowanym do zamiany prądu
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoAKADEMIA MORSKA W SZCZECINIE JEDNOSTKA ORGANIZACYJNA: ZAKŁAD KOMUNIKACYJNYCH TECHNOLOGII MORSKICH INSTRUKCJA
AKADEMIA MORSKA W SZCZECINIE JEDNOSTKA ORGANIZACYJNA: ZAKŁAD KOMUNIKACYJNYCH TECHNOLOGII MORSKICH INSTRUKCJA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA Laboratorium Ćwiczenie nr 3: Elementy półprzewodnikowe Opracował:
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA
ĆWICZENIE 10 BADANIE PARAMETRÓW STATYCZNYCH TYRYSTORA 10.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości sterowanych elementów półprzewodnikowych, wykorzystujących struktury p - n - p - n, głównie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoPod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na:
1 Układy diodowe Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na: izolatory - bardzo słabo przewodzą prąd, cząsteczki tych substancji mają bezpostaciową, amorficzną strukturę powiązań,
Bardziej szczegółowoEFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE
ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowo7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP
7. TYRYSTORY 7.1. WSTĘP Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe, tj. mające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoRozmaite dziwne i specjalne
Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowoBADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ
Ćwiczenie -3A ADANI HAAKTYSTYK DIODY I TANZYSTOA MTODĄ OSYLOSKOPOWĄ I el ćwiczenia: wyznaczenie charakterystyki diody Zenera, charakterystyk tranzystora p-n-p oraz n-p-n w układzie W, zapoznanie się z
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych oraz parametrów tranzystorów PNFET.
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia
Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Ćwiczenie 01 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoSPRAWDZENIE PRAWA OHMA POMIAR REZYSTANCJI METODĄ TECHNICZNĄ
Laboratorium Podstaw Elektroniki Marek Siłuszyk Ćwiczenie M 4 SPWDZENE PW OHM POM EZYSTNCJ METODĄ TECHNCZNĄ opr. tech. Mirosław Maś niwersytet Przyrodniczo - Humanistyczny Siedlce 2013 1. Wstęp Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 WYBRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wprowadzenie
Ćwiczenie 6 WYRANE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE 1. el ćwiczenia Większość z dostępnych na rynku urządzeń elektronicznych wymaga zasilania napięciem i prądem stałym. Jak wiadomo, napięcie i prąd w gniazdkach
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 ZŁĄCZE PN I TRANZYSTOR BIPOLARNY
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA Ćwiczenie 1 ZŁĄCZE PN I TRANZYSTOR BIPOLARNY POJĘCIA I
Bardziej szczegółowoBADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU
Ćwiczenie E7 BADANIE CHARAKTERYSTYK FOTOELEMENTU Przyrzady: Przyrząd do badania zjawiska fotoelektrycznego, płytki absorbenta suwmiarka, fotoelementy (fotoopór, fotodioda, lub fototranzystor). Zjawisko
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki - najczęściej substancje krystaliczne, których rezystywność (oporność właściwa) jest rzędu 10 8 do 10-6 Ohm*m.
Materiały półprzewodnikowe Półprzewodniki - najczęściej substancje krystaliczne, których rezystywność (oporność właściwa) jest rzędu 10 8 do 10-6 Ohm*m. Pod względem przewodnictwa zajmują miejsce pośrednie
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoZakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki
Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Laboratorium Wytwarzania energii elektrycznej Temat ćwiczenia: Badanie alternatora 52 BADANIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH ALTERNATORÓW SAMO- CHODOWYCH
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA
Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowo